• 登录  |  注册
  • 语言

    VMDT-20121A

    VMDT-20121A

    产品参数
  • 样品申请
    Sample Request

    Part No.型号

    Inductance.(μH)电感量

    DCR;max. 直流电阻(mΩ)

    Isat;typ. 饱和电流(A)

    TOP 工作温度(℃)

    Length长(mm)

    Width宽(mm)

    Heiht高(mm)

    Footprint 封装

    Shield屏蔽

    AEC等级

    PDF

  • 申请

    VMDT-20121A-R10M

    0.10

    13.0

    8.50

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R22M

    0.22

    22.0

    7.30

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R24M

    0.24

    23.0

    7.20

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R33M

    0.33

    32.0

    6.50

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R47M

    0.47

    36.0

    5.50

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R68M

    0.68

    43.0

    5.00

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-1R0M

    1.00

    63.0

    4.00

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-1R5M

    1.50

    85.0

    3.20

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-2R2M

    2.20

    150

    2.70

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 186-6259-0586
  • 微信公众号
  • a020@lyetec.com