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    EMDT-201212

    EMDT-201212

    产品参数
  • 样品申请
    Sample Request

    Part No.型号

    Inductance.(μH)电感量

    DCR;max. 直流电阻(mΩ)

    Isat;max.饱和电流(A)

    Isat;typ. 饱和电流(A)

    TOP 工作温度(℃)

    Length长(mm)

    Width宽(mm)

    Heiht高(mm)

    Footprint 封装

    Shield屏蔽

    AEC等级

    PDF

  • 申请

    EMDT-201212S-R11M

    0.11

    6.20

    5.50

    11.0

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212S-R24M

    0.24

    16.0

    13.0

    8.50

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212H-R24M

    0.24

    15.0

    13.0

    8.50

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212S-R33M

    0.33

    20.5

    17.0

    6.00

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212S-R47M

    0.47

    23.5

    20.0

    5.00

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212H-R47M

    0.47

    22.0

    20.0

    5.00

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212S-1R0M

    1.00

    48.0

    40.0

    3.60

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212S-1R5M

    1.50

    80.0

    70.0

    3.00

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212S-2R2M

    2.20

    130

    115

    2.40

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212S-3R3M

    3.30

    210

    180

    1.80

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-201212S-100M

    10.0

    500

    440

    1.20

    -40~125

    2.0±0.2

    1.2±0.2

    1.2max.

    SMD

    Y

    N

  • 186-6259-0586
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