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样品申请
Sample Request
Part No.型号
Inductance.(μH)电感量
DCR;max. 直流电阻(mΩ)
Isat;max.饱和电流(A)
Isat;typ. 饱和电流(A)
TOP 工作温度(℃)
Length长(mm)
Width宽(mm)
Heiht高(mm)
Footprint 封装
Shield屏蔽
AEC等级
EMDT-201265S-R15M
0.15
14.0
12.0
6.00
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265S-R24M
0.24
20.0
17.0
4.80
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265S-R33M
0.33
35.0
30.0
4.30
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265S-R47M
0.47
44.0
37.0
3.80
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265H-R47M
0.47
44.0
37.0
4.00
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265S-R68M
0.68
60.0
50.0
3.20
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265S-1R0M
1.00
86.0
78.0
2.50
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265S- IR5M
1.50
135
115
2.00
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265H-2R2M
2.20
230
215
1.50
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265S-2R2M
2.20
210
175
1.30
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265U-2R2M
2.20
200
175
1.60
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
EMDT-201265S-4R7M
4.70
530
470
1.00
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
0.65max.
SMD
Y
N
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