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    EMDT-252008

    EMDT-252008

    产品参数
  • 样品申请
    Sample Request

    Part No.型号

    Inductance.(μH)电感量

    DCR;max. 直流电阻(mΩ)

    Isat;max.饱和电流(A)

    Isat;typ. 饱和电流(A)

    TOP 工作温度(℃)

    Length长(mm)

    Width宽(mm)

    Heiht高(mm)

    Footprint 封装

    Shield屏蔽

    AEC等级

    PDF

  • 申请

    EMDT-252008S-R47M

    0.47

    27.0

    22.0

    5.30

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-252008S-R68M

    0.68

    32.0

    27.0

    45.0

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-252008S-1R0M

    1.00

    40.0

    34.0

    4.00

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-252008S-1R5M

    1.50

    75.0

    64.0

    3.00

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-252008S-2R2M

    2.20

    77.0

    69.0

    2.60

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-252008S-3R3M

    3.30

    180

    150

    2.10

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-252008S-4R7M

    4.70

    215

    180

    1.50

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-252008S-6R8M

    6.80

    300

    260

    1.20

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-252008S-100M

    10.0

    600

    500

    0.90

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 申请

    EMDT-252008H-100M

    10.0

    540

    490

    1.10

    -40~125

    2.5±0.2

    2.0±0.2

    0.80max.

    SMD

    Y

    N

  • 186-6259-0586
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